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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2810
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
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