RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
45
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
17.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
4064
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link