RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
45
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3364
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Relatar um erro
×
Bug description
Source link