RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
45
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2234
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link