RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
45
Por volta de -73% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
7.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2192
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link