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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
45
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
43
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2928
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Comparações de RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
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