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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
45
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2583
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
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