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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3105
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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