RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
45
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3214
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link