RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
45
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2404
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link