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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
45
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3075
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
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