Comparação RAM Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

31 45

Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.5 12.3

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.5 8.0

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 12800

Por volta de 2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1992 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns