RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
66
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
66
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
1699
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link