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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
45
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2757
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
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