RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
49
Por volta de 2% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
49
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2673
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Comparações de RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link