RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
48
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
29
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3308
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link