RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
48
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
29
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3273
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link