RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
48
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
31
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2236
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link