RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
48
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
29
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3432
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link