RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
74
Por volta de 35% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
74
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
1714
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link