RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
48
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3325
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link