RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
48
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
33
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2503
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link