RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
48
Por volta de -167% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
18
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
17.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3668
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Inmos + 256MB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link