RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
48
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
25
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3890
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link