RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
48
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
32
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3098
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link