RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
48
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
29
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3467
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link