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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
48
Por volta de -85% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
26
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
15.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3617
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
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