RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
48
Por volta de -140% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
20
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3127
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link