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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
48
Por volta de -85% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
26
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
17.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3842
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston Kingston2GB800 2GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
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