RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
48
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
35
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2767
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link