RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
48
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
34
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3343
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link