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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
48
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
30
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2341
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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