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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
47
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
33
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3026
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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