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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
47
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3403
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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