RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
47
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3126
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link