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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
47
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
35
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3423
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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