RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
47
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
36
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3068
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link