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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
47
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
33
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
2918
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
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