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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
47
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
22
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3392
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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