RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
47
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
25
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
2945
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link