RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
47
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3474
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link