RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston XF875V-MIH 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston XF875V-MIH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston XF875V-MIH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
47
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
34
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
2785
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston XF875V-MIH 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link