RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
47
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
38
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
2908
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link