RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation M424051 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
97
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.9
5.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation M424051 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.2
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
97
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
5.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
1270
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link