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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
41
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
3232
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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