RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
41
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
13.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
2196
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link