RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
41
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
3060
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link