RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
41
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
3716
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link