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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
53
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
53
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
2301
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
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