Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.3 left arrow 12
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 41
    Por volta de -46% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.1 left arrow 9.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    41 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.3 left arrow 12.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.0 left arrow 9.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2016 left arrow 2347
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações